Antimony Selenide Sb2Se3 | As2Se3 Bi2Se3 Ga2Se3 In2Se3 Featured Image

พลวง Selenide Sb₂Se₃|เนื่องจาก₂Se₃ Bi₂Se₃ Ga₂Se₃ In₂Se₃

คำอธิบาย

พลวง Selenide Sb₂Se₃, ชนิดของสารประกอบอนินทรีย์ สารกึ่งตัวนำแบบไบนารีเฟสเดียว CAS 1315-05-5 MW 480.4 ความหนาแน่น 5.843g/cm³จุดหลอมเหลว 611°C ซึ่งละลายได้เล็กน้อยในน้ำ สังเคราะห์โดยวิธีบริดจ์แมนและเทคนิคฟลักซ์โซนพลวงSelenide มีช่องว่างแถบพลังงานที่เหมาะสม ค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนสูง เฟสง่าย ๆ และอุณหภูมิการตกผลึกต่ำวัสดุจำนวนมากภายใต้ความดันสูงจะกลายเป็นฉนวนทอพอโลยีและผ่านฉนวนไปยังโลหะจนถึงการเปลี่ยนผ่านของตัวนำยิ่งยวดวิธีการต่างๆ ที่ใช้ในการเตรียมฟิล์มบาง Antimony Selenide ที่เป็นผลึก ได้แก่ สเปรย์ไพโรไลซิส การเติบโตของสารละลาย การหลอมรวมโดยตรงของพลวงและซีลีเนียม การสะสมทางเคมีไฟฟ้าและการระเหยด้วยสุญญากาศ Antimony Selenide สามารถสังเคราะห์ได้ในโครงสร้างนาโนประเภทต่างๆ ซึ่งแสดงช่องว่างของแถบโดยตรง ในขณะที่ กลุ่มมีช่องว่างวงพลังงานทางอ้อม 1.21 eVผลึกเดี่ยว Antimony Selenide ซึ่งเป็นเซมิคอนดักเตอร์แบบ bandgap โดยตรงที่มีโครงสร้างเป็นชั้นที่มีโครงสร้างผลึกแบบออร์โธรฮอมบิก ได้รับความสนใจอย่างมากจากผลการสลับและคุณสมบัติทางไฟฟ้าโซลาร์เซลล์และเทอร์โมอิเล็กทริกที่ยอดเยี่ยม

จัดส่ง

พลวง Selenide Sb₂Se₃และสารหนู Selenide As₂Se₃, บิสมัท Selenide Bi₂Se₃, แกลเลียม เซเลไนด์ กา₂Se₃, อินเดียม เซเลไนด์ อิน₂Se₃ที่ Western Minmetals (SC) Corporation ที่มีความบริสุทธิ์ 99.99% 4N และ 99.999% 5N สามารถจัดส่งในรูปแบบผง -60mesh, -80mesh, เม็ด 1-6mm, ก้อน 1-20mm, chunk, blank, bulk crystal และ single crystal เป็นต้น หรือเป็นข้อกำหนดที่กำหนดเองเพื่อให้ได้โซลูชันที่สมบูรณ์แบบ

สอบถามตอนนี้

รายละเอียด

แท็ก

ข้อมูลทางเทคนิค

สารประกอบซีลีไนด์

พลวง Selenide Sb₂Se₃เป็นวัสดุเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางอนินทรีย์ที่ประหยัด ไม่เป็นพิษ และมีเสถียรภาพพลวง Selenide Sb₂Se₃คริสตัลแสดงสถานะฉนวนทอพอโลยี การนำไฟฟ้ายิ่งยวด ประสิทธิภาพเทอร์โมอิเล็กทริกสูง ความเสถียรต่อสิ่งแวดล้อมในอุดมคติ และลำดับผลึกสูง ซึ่งมีการใช้งานในการจัดเก็บเทอร์โมอิเล็กทริก โฟโตโวลตาอิก และออปติคัลSb₂Se₃photodetectors แสดงประสิทธิภาพโฟโตอิเล็กทริกที่ยอดเยี่ยม การแปลงความถี่อินฟราเรดกลาง และการใช้งานที่ไม่เป็นเชิงเส้นสารประกอบซีลีไนด์พบการใช้งานมากมาย เช่น วัสดุอิเล็กโทรไลต์ สารเจือปนเซมิคอนดักเตอร์ จอแสดงผล QLED ฟิลด์ IC และฟิลด์วัสดุอื่นๆ เป็นต้น

สารประกอบซีลีไนด์ส่วนใหญ่หมายถึงธาตุโลหะและสารประกอบเมทัลลอยด์ ซึ่งมีองค์ประกอบปริมาณสัมพันธ์ที่เปลี่ยนแปลงภายในช่วงที่กำหนดเพื่อสร้างสารละลายที่เป็นของแข็งที่มีสารประกอบเป็นพื้นฐานสารประกอบระหว่างโลหะมีคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยมระหว่างโลหะและเซรามิก และกลายเป็นสาขาสำคัญของวัสดุโครงสร้างใหม่สารประกอบซีลีไนด์ของพลวง Selenide Sb₂Se₃, สารหนู Selenide As₂Se₃, บิสมัท Selenide Bi₂Se₃, Cadmium Selenide CdSe, Copper Selenide CuSe, แกลเลียม Selenide Ga₂Se₃, อินเดียม เซเลไนด์ อิน₂Se_3,ตะกั่ว Selenide PbSe,โมลิบดีนัมซีลีไนด์ MoSe₂, ดีบุก Selenide SnSe, ทังสเตน Selenide WSe₂, Zinc Selenide ZnSe ฯลฯ และสารประกอบของมัน (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) และสารประกอบ Rare Earth สามารถสังเคราะห์ได้ในรูปของผง เม็ดเล็ก ก้อน แท่ง และสารตั้งต้น

เลขที่	สิ่งของ	ข้อกำหนดมาตรฐาน
เลขที่	สิ่งของ	สูตร	ความบริสุทธิ์	ขนาดและการบรรจุ
1	พลวง Selenide	Sb₂Se₃	4N 5N	-60mesh, -80mesh ผง, 1-20 มม. ก้อนไม่สม่ำเสมอ, 1-6 มม. เม็ด, เป้าหมายหรือว่างเปล่า 500g หรือ 1000g ในขวดโพลีเอทิลีนหรือถุงคอมโพสิต กล่องกระดาษด้านนอก องค์ประกอบของสารประกอบ Selenide สามารถขอได้ ข้อมูลจำเพาะและการใช้งานพิเศษสามารถปรับแต่งได้เพื่อโซลูชันที่สมบูรณ์แบบ
2	สารหนู Selenide	As₂Se₃	5N 6N
3	บิสมัท เซเลไนด์	Bi₂Se₃	4N 5N
4	แคดเมียม เซเลไนด์	CdSe	4N 5N 6N
5	ทองแดง Selenide	CuSe	4N 5N
6	แกลเลียมซีลีไนด์	Ga₂Se₃	4N 5N
7	อินเดียม เซเลไนด์	In₂Se₃	4N 5N
8	ตะกั่ว Selenide	PbSe	4N
9	โมลิบดีนัมซีลีไนด์	MoSe2	4N 5N
10	ดีบุก Selenide	SnSe	4N 5N
11	ทังสเตนเซเลไนด์	_WSe2	3N 4N
12	สังกะสี Selenide	ZnSe	4N 5N

สารหนู Selenide

สารหนู Selenide หรือAสารหนู Triselenide As₂Se₃, CAS 1303-36-2, น้ำหนักโมเลกุล 386.72, ความหนาแน่น 4.75g/cm³, จุดหลอมเหลว 360°C, ของแข็งผลึกที่เป็นของแข็งสีดำหรือสีน้ำตาลเข้ม,เป็นสารประกอบเคมีอนินทรีย์ เป็นซีลีไนด์ของสารหนู issละลายได้ในกรดไนตริก แต่ไม่ละลายในน้ำสารประกอบ Arsenic Selenide เตรียมโดยใช้ metaarsenite และ amorphous selenium ในตัวกลางอินทรีย์ ผ่านการให้ความร้อนในอัตราส่วน stoichiometric As และ Se ในหลอดสุญญากาศควอทซ์เพื่อให้ได้ As₂Se_3.ผลึกสังเคราะห์ของ Arsenic triselenide นั้นปลูกโดยเทคนิคเฟสไอผลึกเดี่ยวของ As2Se3 สามารถเตรียมได้ด้วยความร้อนใต้พิภพสารหนูอสัณฐาน Selenide ถูกใช้เป็นสารสะสมสูญญากาศ, แก้ว chalcogenide สำหรับเลนส์อินฟราเรดเนื่องจากดัชนีการหักเหของแสงสูง ความโปร่งใสของ IR ปานกลาง และดัชนีออปติคัลแบบไม่เชิงเส้นสูง ฟิล์มบาง Arsenic Selenide เป็นวัสดุที่สำคัญสำหรับโฟโตนิกส์แบบบูรณาการ เซมิคอนดักเตอร์ และในการใช้งานโฟโตออปติกนอกจากนี้ bandgap ของ 1.8 eV และช่องรับส่งข้อมูลที่กว้างทำให้มีประโยชน์สำหรับการใช้งานในอินฟราเรดคลื่นสั้นในอินฟราเรดคลื่นยาวในขณะเดียวกัน Arsenic Selenide เป็นวัตถุดิบที่สำคัญและเป็นสื่อกลางที่ใช้ในการสังเคราะห์สารอินทรีย์ อุตสาหกรรมยาสารหนู Selenide As₂Se₃ที่ Western Minmetals (SC) Corporation ที่มีความบริสุทธิ์ 99.99% 4N, 99.999% 5N สามารถจัดส่งได้ในรูปของผง เม็ดเล็ก ก้อน ก้อน ก้อน เปล่า ผลึกจำนวนมาก และผลึกเดี่ยว ฯลฯ หรือตามข้อกำหนดที่กำหนดเอง

เลขที่	สิ่งของ	ความบริสุทธิ์	สิ่งเจือปน ppm สูงสุดแต่ละอัน	ขนาด
1	สารหนู Selenide As₂Se₃	5N 99.999%	Ag 0.2, u/Ca/Al/Mg/Ni/Pb/Cr/Fe/Sb/Te 0.5, Hg 1.0	ก้อน 2-20 มม.
2	สารหนู Selenide As₂Se₃	6N 99.9999%	Ag/Cu/Al/Ni/In/Cd 0.05, Mg/Pb/Fe/Te 0.1	ก้อน 2-20 มม.
3	การบรรจุ	100g หรือ 1000g ในขวดโพลีเอทิลีนหรือถุงคอมโพสิต กล่องกระดาษด้านนอก

บิสมัท เซเลไนด์

บิสมัท Selenide Bi₂Se₃, ลักษณะผลึกสีดำ CAS 12068-69-8 MW 654.84 จุดหลอมเหลว 710 องศาเซลเซียส จุดเดือด 1007 องศาเซลเซียส ความหนาแน่น 6.82 กรัม/ซม.³รูปสี่เหลี่ยมขนมเปียกปูนและโครงสร้างหกเหลี่ยมไม่ละลายในน้ำและตัวทำละลายอินทรีย์แต่ละลายได้ในกรดแก่ สลายตัวเมื่อถูกความร้อนในอากาศ และสลายตัวในกรดไนตริกและกรดกัดทองบิสมัท selenide Bi₂Se₃อยู่ในกลุ่มที่ 15 (VA) หลังการเปลี่ยนแปลงของโลหะไตรคัลโคเจไนด์ ซึ่งคาดการณ์ว่าเป็นฉนวนทอพอโลยีที่แข็งแกร่ง 3 มิติ โดยมีช่องว่างพลังงานเชิงทอพอโลยี 0.3 eVคริสตัลบิสมัทเซเลไนด์เป็นเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างวงดนตรีทางอ้อมที่สังเคราะห์โดยวิธีไฮโดรเทอร์มอล, บริดจ์แมน R, วิธีตรงและวิธีลอยตัวของโซน ฯลฯ วัสดุที่สังเคราะห์นี้ใช้เพื่อฝากฟิล์มบางของบิสมัทซีลีไนด์ที่อุณหภูมิพื้นผิวต่างๆโพลีคริสตัลไลน์ stoichiometric Bi₂Se₃ฟิล์มบางเป็นชนิด N และความเข้มข้นของพาหะ 1.02×10¹⁹ซม^-3ที่อุณหภูมิห้องผง Bismuth selenide เหมาะสำหรับการขัดผิวด้วยสารเคมีเหลวเพื่อเตรียมBi₂Se₃นาโนชีตและอนุภาคนาโนคริสตัลบิสมัทซีลีไนด์เดี่ยวจำนวนมากมักใช้เป็นแหล่งที่สามารถรับแผ่นชั้นเดียวหรือหลายชั้นได้โดยการขัดผิวด้วยกลไกหรือของเหลวด้วยคุณสมบัติทางเทอร์โมอิเล็กทริกและโฟโตอิเล็กทริกที่โดดเด่น Bismuth selenide พบการใช้งานในเครื่องตรวจจับแสงขั้นสูง อุปกรณ์แม่เหล็ก FET เลเซอร์ เป้าหมายการสปัตเตอร์ เซ็นเซอร์ก๊าซ วัสดุเทอร์โมอิเล็กทริก เซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบาง และอุปกรณ์คำนวณควอนตัม Bismuth Selenide Bi₂Se₃ยังน่าสนใจสำหรับ biomedicine เนื่องจากฤทธิ์ทางชีวภาพที่ดีและความเข้ากันได้ทางชีวภาพบิสมัท Selenide Bi₂Se₃ที่ Western Minmetals (SC) Corporation ที่มีความบริสุทธิ์ 99.99% 4N, 99.995% 4N5, 99.999% 5N สามารถจัดส่งได้ในรูปแบบผง เม็ด ก้อน ก้อน ก้อน เปล่า ผลึกจำนวนมาก และผลึกเดี่ยว ฯลฯ หรือตามข้อกำหนดที่กำหนดเอง

แกลเลียมซีลีไนด์

แกลเลียมซีลีไนด์หรือแกลเลียม TriselenideGa2Se3,CAS 12024-11-2 มวลโมเลกุล 148.68 จุดหลอมเหลว 960 °C ความหนาแน่น 5.030g/cm³ผลึกเกล็ดสีน้ำตาลเข้มเป็นมันเงามีโครงสร้างหกเหลี่ยม เป็นสารประกอบของแกลเลียมและซีลีเนียมโดยวิธี CVD ของไอเคมีสะสมGaSe เป็นสารกึ่งตัวนำที่เป็นชั้นซึ่งอยู่ในตระกูลของโลหะคาลโคเจนที่ตกผลึกในโครงสร้างเป็นชั้นเมื่ออุณหภูมิลดลง ค่าสูงสุดของเอฟเฟกต์โฟโตอิเล็กทริกของ GaSe จะเคลื่อนที่ไปยังทิศทางของคลื่นสั้นผลึกแกลเลียมเซเลไนด์ GaSe สามารถสังเคราะห์ได้โดยใช้เทคนิคการเจริญเติบโตที่แตกต่างกันของการเจริญเติบโตของบริดจ์แมน การขนส่งไอสารเคมี CVT และการเติบโตของโซนฟลักซ์เพื่อปรับขนาดเกรนให้เหมาะสมและลดความเข้มข้นของข้อบกพร่องคริสตัลแกลเลียม selenide GaSe ถูกเสนอให้เป็นสารประกอบเชิงรุกสำหรับใช้ในอุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ที่เหมาะสมกับการใช้งานทางอิเล็กทรอนิกส์และทางแสงในด้านวัสดุ 2 มิติ เป็นอิเล็กโทรดการแทรกสอดในเซลล์ลิเธียมเคมีไฟฟ้า และในฐานะสื่อแสงที่ไม่เป็นเชิงเส้นแกลเลียม เซเลไนด์ กา₂Se₃ที่ Western Minmetals (SC) Corporation ที่มีความบริสุทธิ์ 99.99% 4N, 99.999% 5N สามารถจัดส่งได้ในรูปของผง เม็ดเล็ก ก้อน ก้อน ก้อน เปล่า ผลึกจำนวนมาก และผลึกเดี่ยว ฯลฯ หรือตามข้อกำหนดที่กำหนดเอง

อินเดียม เซเลไนด์

อินเดียม เซเลไนด์, หรือไดอินเซียม ไตรเซเลไนด์ใน₂Se₃, แป้งหรือก้อนเนื้อมันวาวเป็นสีดำถึงทึบ, หมายเลข CAS 2056-07-4, จุดหลอมเหลว 660°C, ความหนาแน่น 5.55g/cm³เป็นสารประกอบของอินเดียมและซีลีเนียมซึ่งมีความเสถียรภายใต้อุณหภูมิและความดันห้อง และเก็บไว้เพื่อหลีกเลี่ยงแสง เปิดไฟ และอุณหภูมิสูงละลายได้ในกรดแก่และย่อยสลายง่ายสารประกอบเซมิคอนดักเตอร์ In₂Se₃มีโครงสร้างขัดแตะ ZnS ที่บกพร่องซึ่งอะตอมที่ไม่ใช่โลหะถูกจัดเรียงเป็นจัตุรมุขโดยอะตอมโลหะสามตัวและหนึ่งตำแหน่งว่างเพื่อให้มั่นใจถึงความสม่ำเสมอของโครงสร้าง แสง และอิเล็กทรอนิกส์ Indium Selenide หรือ Diindium Triselenide InSe ได้รับการพัฒนาโดยวิธี Brigmann ซึ่งดีกว่าเพื่อให้เกิดการตกผลึกสูงและขนาดใหญ่นอกจากนี้ยังสามารถเลือกเทคนิคการเติบโตของ Flux Zone Growth และ Chemical Vapor Transport CVT ได้อีกด้วยใน₂Se₃คริสตัลเป็นสารกึ่งตัวนำช่องว่างโดยตรงของการปล่อย 1.56eV (300K), α- In₂Se₃และ β-In₂Se₃ผลึกเป็นรูปแบบที่พบบ่อยที่สุดสองรูปแบบที่มีโครงสร้าง wurtzite บกพร่องส่วนใหญ่จะใช้เป็นเซมิคอนดักเตอร์ วัสดุออปติคัล อุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ เซ็นเซอร์ไฟฟ้า หรือเพื่อใช้ในการเตรียมวัสดุฟิล์มบาง CIGS อินเดียมแกลเลียมซีลีเนียม CIGSIndium Selenide InSe ที่ Western Minmetals (SC) Corporation ที่มี 99.99% 4N, 99.999% 5N บริสุทธิ์สามารถจัดส่งได้ในรูปของผง เม็ด ก้อน ก้อน เปล่า คริสตัลจำนวนมาก ฯลฯ หรือตามข้อกำหนดที่กำหนดเอง