อินเดียม แอนติโมไนด์ InSb

คำอธิบาย

Indium Antimonide InSbสารกึ่งตัวนำของสารประกอบผลึกกลุ่ม III–V ที่มีโครงสร้างตาข่ายผสมสังกะสี ถูกสังเคราะห์โดยธาตุอินเดียมและพลวงที่มีความบริสุทธิ์สูง 6N 7N และผลึกเดี่ยวที่ปลูกโดยวิธี VGF หรือวิธี Czochralski LEC ที่ห่อหุ้มด้วยของเหลวจากแท่งโพลีคริสตัลไลน์กลั่นหลายโซน ซึ่งสามารถสไลซ์และประกอบเป็นแผ่นเวเฟอร์และบล็อกได้ในภายหลังInSb คือเซมิคอนดักเตอร์ทรานซิชันโดยตรงที่มีช่องว่างแบนด์วิดธ์แคบ 0.17eV ที่อุณหภูมิห้อง ความไวสูงต่อความยาวคลื่น 1-5μm และความคล่องตัวในห้องโถงสูงเป็นพิเศษIndium Antimonide InSb n-type, p-type และการนำไฟฟ้ากึ่งฉนวนที่ Western Minmetals (SC) Corporation มีจำหน่ายในขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 1 "2" 3 "และ 4" (30 มม. 50 มม. 75 มม. 100 มม.) การวางแนว < 111> หรือ <100> และผิวเวเฟอร์แบบตัด ขัด กัด และขัดเงาIndium Antimonide InSb เป้าหมายของ Dia.50-80mm พร้อม n-type ที่ไม่ได้เจือปนก็มีให้เช่นกันในขณะเดียวกัน Polycrystalline indium antimonide InSb ( multicrystal InSb) ที่มีขนาดก้อนผิดปกติหรือว่างเปล่า (15-40) x (40-80) มม. และแถบกลมขนาด D30-80 มม. ก็ปรับแต่งได้ตามคำขอเพื่อให้ได้โซลูชันที่สมบูรณ์แบบ

แอปพลิเคชัน

Indium Antimonide InSb เป็นหนึ่งในสารตั้งต้นในอุดมคติสำหรับการผลิตส่วนประกอบและอุปกรณ์ล้ำสมัยมากมาย เช่น โซลูชันการถ่ายภาพความร้อนขั้นสูง ระบบ FLIR องค์ประกอบฮอลล์ และองค์ประกอบเอฟเฟกต์สนามแม่เหล็ก ระบบนำทางขีปนาวุธกลับบ้านด้วยอินฟราเรด เซ็นเซอร์ตรวจจับแสงอินฟราเรดที่ตอบสนองสูง , เซ็นเซอร์วัดความต้านทานแม่เหล็กและแบบหมุนที่มีความแม่นยำสูง, อาร์เรย์ระนาบโฟกัส และยังดัดแปลงเป็นแหล่งรังสีเทราเฮิร์ตซ์และในกล้องโทรทรรศน์อวกาศดาราศาสตร์อินฟราเรด เป็นต้น

สอบถามตอนนี้

รายละเอียด

แท็ก

ข้อมูลทางเทคนิค

อินเดียมแอนติโมไนด์

InSb

พื้นผิวอินเดียมแอนติโมไนด์(InSb Substrate, InSb เวเฟอร์) n-type หรือ p-type ที่ Western Minmetals (SC) Corporation มีจำหน่ายในขนาดเส้นผ่านศูนย์กลาง 1" 2" 3" และ 4” (30, 50, 75 และ 100 มม.) การวางแนว <111> หรือ <100> และ ด้วยพื้นผิวเวเฟอร์ของการขัด กัด ขัดเงา Indium Antimonide Single Crystal bar (แถบ InSb Monocrystal) สามารถจัดหาได้ตามคำขอ

อินเดียมแอนติโมไนด์Polycrystalline (InSb Polycrystalline หรือ multicrystal InSb) ที่มีขนาดก้อนผิดปกติ หรือว่างเปล่า (15-40)x(40-80)mm ได้รับการปรับแต่งตามคำขอเพื่อให้ได้โซลูชันที่สมบูรณ์แบบ

ในขณะเดียวกัน Indium Antimonide Target (InSb Target) ของ Dia.50-80mm พร้อม n-type ที่ไม่ได้เจือปนก็มีให้เช่นกัน

เลขที่	รายการ	ข้อกำหนดมาตรฐาน
1	พื้นผิวอินเดียมแอนติโมไนด์	2"	3"	4"
2	เส้นผ่านศูนย์กลาง mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	วิธีการเจริญเติบโต	LEC	LEC	LEC
4	การนำไฟฟ้า	P-type / Zn, Ge เจือ, N-type / Te-doped, Un-doped
5	ปฐมนิเทศ	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	ความหนา µm	500±25	600±25	800±25
7	การวางแนว แบน mm	16±2	22±1	32.5±1
8	บัตรประจำตัว แบน mm	8±1	11±1	18±1
9	การเคลื่อนที่ cm2/Vs	1-7E5 N/un-doped, 3E5-2E4 N/Te-doped, 8-0.6E3 หรือ ≤8E13 P/Ge-doped
10	ความเข้มข้นของพาหะ cm-3	6E13-3E14 N/un-doped, 3E14-2E18 N/Te-doped, 1E14-9E17 หรือ <1E14 P/Ge-doped
11	TTV μm max	15	15	15
12	โบว์ μm max	15	15	15
13	วิปริต μm สูงสุด	20	20	20
14	ความหนาแน่นของความคลาดเคลื่อน cm-2 max	50	50	50
15	เสร็จสิ้นพื้นผิว	พี/อี พี/พี	พี/อี พี/พี	พี/อี พี/พี
16	การบรรจุ	ภาชนะเวเฟอร์เดี่ยวปิดผนึกในถุงอลูมิเนียม

เลขที่	รายการ	ข้อกำหนดมาตรฐาน
เลขที่	รายการ	Indium Antimonide Polycrystalline	เป้าหมายของอินเดียมแอนติโมไนด์
1	การนำไฟฟ้า	Undoped	Undoped
2	ความเข้มข้นของผู้ให้บริการ cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	ความคล่องตัว cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	ขนาด	15-40x40-80 มม.	D(50-80) มม.
5	การบรรจุ	ในถุงอลูมิเนียมคอมโพสิต กล่องกระดาษนอก

สูตรเชิงเส้น	InSb
น้ำหนักโมเลกุล	236.58
โครงสร้างคริสตัล	ซิงค์ปั่น
รูปร่าง	คริสตัลเมทัลลิกสีเทาเข้ม
จุดหลอมเหลว	527 °C
จุดเดือด	ไม่มี
ความหนาแน่น 300K	5.78 ก./ซม.³
ช่องว่างพลังงาน	0.17 eV
ความต้านทานภายใน	4E(-3) Ω-cm
หมายเลข CAS	1312-41-0
หมายเลข EC	215-192-3

อินเดียม แอนติโมไนด์ InSbเวเฟอร์เป็นหนึ่งในพื้นผิวในอุดมคติสำหรับการผลิตส่วนประกอบและอุปกรณ์ล้ำสมัยมากมาย เช่น โซลูชันการถ่ายภาพความร้อนขั้นสูง ระบบ FLIR องค์ประกอบของห้องโถง และองค์ประกอบเอฟเฟกต์สนามแม่เหล็ก ระบบนำทางขีปนาวุธกลับบ้านด้วยอินฟราเรด เซ็นเซอร์ตรวจจับแสงอินฟราเรดที่ตอบสนองสูง สูง - เซ็นเซอร์วัดค่าความต้านทานแม่เหล็กและแบบหมุนที่แม่นยำ อาร์เรย์ระนาบโฟกัส และยังดัดแปลงเป็นแหล่งรังสีเทราเฮิร์ตซ์และในกล้องโทรทรรศน์อวกาศดาราศาสตร์อินฟราเรด เป็นต้น