แท่งผลึกซิลิคอนเดี่ยว

คำอธิบาย

แท่งผลึกซิลิคอนเดี่ยวis มักจะโต เป็นแท่งทรงกระบอกขนาดใหญ่โดยใช้เทคโนโลยียาสลบและดึงที่แม่นยำ Czochralski CZ, สนามแม่เหล็กเหนี่ยวนำ Czochralski MCZ และวิธี Floating Zone FZวิธี CZ เป็นวิธีที่ใช้กันอย่างแพร่หลายมากที่สุดสำหรับการเจริญเติบโตของผลึกซิลิกอนของแท่งทรงกระบอกขนาดใหญ่ที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางไม่เกิน 300 มม. ซึ่งใช้ในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์เพื่อผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์วิธี MCZ เป็นรูปแบบหนึ่งของวิธี CZ ซึ่งสนามแม่เหล็กที่สร้างโดยแม่เหล็กไฟฟ้า ซึ่งสามารถให้ความเข้มข้นของออกซิเจนต่ำได้เมื่อเปรียบเทียบ ความเข้มข้นของสิ่งเจือปนต่ำกว่า ความคลาดเคลื่อนต่ำกว่า และรูปแบบความต้านทานที่สม่ำเสมอวิธี FZ ช่วยให้บรรลุความต้านทานสูงที่สูงกว่า 1,000 Ω-cm และคริสตัลที่มีความบริสุทธิ์สูงที่มีปริมาณออกซิเจนต่ำ

จัดส่ง

Single Crystal Silicon Ingot CZ, MCZ, FZ หรือ FZ NTD ที่มีการนำไฟฟ้าแบบ n หรือ p ที่ Western Minmetals (SC) Corporation สามารถจัดส่งได้ในขนาด 50 มม. 75 มม. 100 มม. 125 มม. 150 มม. และ 200 มม. (2, 3 , 4, 6 และ 8 นิ้ว), การวางแนว <100>, <110>, <111> โดยมีพื้นผิวที่ต่อลงดินในบรรจุภัณฑ์ถุงพลาสติกด้านในพร้อมกล่องกระดาษด้านนอก หรือตามข้อกำหนดเฉพาะเพื่อให้ได้โซลูชันที่สมบูรณ์แบบ

.