Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

แคดเมียม Arsenide Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

คำอธิบาย

แคดเมียม Arsenide Cd₃As₂5N 99.999%,สีเทาเข้ม มีความหนาแน่น 6.211g/cm³, จุดหลอมเหลว 721°C, โมเลกุล 487.04, CAS12006-15-4, ละลายได้ในกรดไนตริก HNO₃ และความเสถียรในอากาศ เป็นวัสดุผสมสังเคราะห์ของแคดเมียมและสารหนูที่มีความบริสุทธิ์สูงCadmium Arsenide เป็นกึ่งโลหะอนินทรีย์ในตระกูล II-V และแสดงผล Nernstคริสตัลแคดเมียมอาร์เซไนด์ที่ปลูกโดยวิธีการเจริญเติบโตของ Bridgman โครงสร้างกึ่งโลหะกึ่งโลหะ Dirac จำนวนมากที่ไม่มีชั้น เป็นสารกึ่งตัวนำ N-type II-V ที่เสื่อมสภาพหรือเซมิคอนดักเตอร์แบบช่องแคบที่มีการเคลื่อนที่ของพาหะสูง มวลที่มีประสิทธิภาพต่ำ และการนำที่ไม่เป็นพาราโบลาสูง วงดนตรี.แคดเมียม Arsenide Cd₃As₂หรือ CdAs เป็นของแข็งผลึกและพบการใช้งานมากขึ้นเรื่อยๆ ในเซมิคอนดักเตอร์และในสนามแสงภาพถ่าย เช่น ในเครื่องตรวจจับอินฟราเรดโดยใช้เอฟเฟกต์ Nernst ในเซ็นเซอร์ความดันไดนามิกฟิล์มบาง เลเซอร์ ไดโอดเปล่งแสง LED จุดควอนตัม ทำสนามแม่เหล็กและเครื่องตรวจจับแสงสารประกอบ Arsenide ของ Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs และ Niobium Arsenide NbAs หรือ Nb₅As₃ค้นหาการใช้งานเพิ่มเติม เช่น วัสดุอิเล็กโทรไลต์ วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ จอแสดงผล QLED ฟิลด์ IC และวัสดุอื่นๆ

จัดส่ง

แคดเมียม Arsenide Cd₃As₂และ Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs และ Niobium Arsenide NbAs หรือ Nb₅As₃ที่ Western Minmetals (SC) Corporation ที่มีความบริสุทธิ์ 99.99% 4N และ 99.999% 5N อยู่ในขนาดของ polycrystalline micropowder -60mesh, -80mesh, nanoparticle, lump 1-20mm, granule 1-6mm, chunk, blank, bulk crystal และ single crystal เป็นต้น . หรือเป็นข้อกำหนดที่กำหนดเองเพื่อให้ได้โซลูชันที่สมบูรณ์แบบ

สอบถามตอนนี้

รายละเอียด

แท็ก

ข้อมูลทางเทคนิค

สารประกอบอาร์เซไนด์

สารประกอบอาร์เซไนด์ ส่วนใหญ่หมายถึงธาตุโลหะและสารประกอบเมทัลลอยด์ ซึ่งมีองค์ประกอบปริมาณสัมพันธ์ที่เปลี่ยนแปลงภายในช่วงที่กำหนดเพื่อสร้างสารละลายที่เป็นของแข็งที่มีสารประกอบเป็นพื้นฐานสารประกอบระหว่างโลหะมีคุณสมบัติที่ยอดเยี่ยมระหว่างโลหะและเซรามิก และกลายเป็นสาขาสำคัญของวัสดุโครงสร้างใหม่นอกจาก Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs และ Niobium Arsenide NbAs หรือ Nb₅As₃สามารถสังเคราะห์ได้ในรูปของผง เม็ด ก้อน แท่ง คริสตัล และสารตั้งต้น

เลขที่	สิ่งของ	ข้อกำหนดมาตรฐาน
เลขที่	สิ่งของ	ความบริสุทธิ์	สิ่งเจือปน PPM สูงสุดแต่ละอัน	ขนาด
1	Cadmium ArsenideCd₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0	-60mesh -80mesh ผง ก้อน 1-20 มม. เม็ด 1-6 มม
2	แกลเลียมอาร์เซไนด์ GaAs	5N 6N 7N	มีองค์ประกอบ GaAs ตามคำขอ
3	Niobium Arsenide NbAs	3N5	องค์ประกอบ NbAs ตามคำขอ
4	อินเดียม Arsenide InAs	5N 6N	InAs องค์ประกอบตามคำขอ
5	การบรรจุ	500g หรือ 1000g ในขวดโพลีเอทิลีนหรือถุงคอมโพสิต กล่องกระดาษด้านนอก

แกลเลียม อาร์เซไนด์

แกลเลียมอาร์เซไนด์ GaAs, วัสดุเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างตรงแบบผสม III–V ที่มีโครงสร้างผลึกสังกะสีผสม ถูกสังเคราะห์โดยแกลเลียมและธาตุหนูที่มีความบริสุทธิ์สูง และสามารถหั่นและประดิษฐ์เป็นแผ่นเวเฟอร์และว่างเปล่าจากแท่งผลึกเดี่ยวที่ปลูกโดยวิธี Vertical Gradient Freeze (VGF) .ด้วยความคล่องตัวในห้องโถงที่อิ่มตัวและความเสถียรของพลังงานและอุณหภูมิที่สูง ส่วนประกอบ RF, IC ไมโครเวฟ และอุปกรณ์ LED ที่ผลิตโดยส่วนประกอบทั้งหมดนั้นมีประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยมในฉากการสื่อสารความถี่สูงในขณะเดียวกัน ประสิทธิภาพการส่งผ่านแสงยูวียังช่วยให้เป็นวัสดุพื้นฐานที่ได้รับการพิสูจน์แล้วในอุตสาหกรรมไฟฟ้าโซลาร์เซลล์Gallium Arsenide GaAs wafer ที่ Western Minmetals (SC) Corporation สามารถส่งได้ถึง 6 "หรือ 150 มม. เส้นผ่านศูนย์กลางที่มีความบริสุทธิ์ 6N 7N และพื้นผิวเกรดทางกลของ Gallium Arsenide ก็มีจำหน่าย ในขณะเดียวกัน Gallium Arsenide polycrystalline bar ก้อนและเม็ด ฯลฯ ที่มีความบริสุทธิ์ ของ 99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N จาก Western Minmetals (SC) Corporation มีจำหน่ายหรือเป็นข้อกำหนดที่กำหนดเองตามคำขอ

อินเดียม อาร์เซไนด์

อินเดียม Arsenide InAs, เซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างแบนด์ตรงที่ตกผลึกในโครงสร้างสังกะสีผสม สารประกอบโดยธาตุอินเดียมและสารหนูที่มีความบริสุทธิ์สูง ซึ่งปลูกด้วยวิธี Czochralski ที่ห่อหุ้มด้วยของเหลว (LEC) สามารถหั่นเป็นแผ่นและประกอบเป็นแผ่นเวเฟอร์จากแท่งผลึกเดี่ยวเนื่องจากความหนาแน่นของการเคลื่อนที่ต่ำแต่มีโครงตาข่ายคงที่ InAs จึงเป็นซับสเตรตในอุดมคติเพื่อรองรับโครงสร้าง InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ที่ต่างกัน หรือโครงสร้าง Superlattice ของ AlGaSb ที่ต่างกันดังนั้นจึงมีบทบาทสำคัญในการผลิตอุปกรณ์ส่งสัญญาณอินฟราเรดช่วงคลื่น 2-14 ไมโครเมตรนอกจากนี้ ความคล่องตัวสูงสุดในห้องโถงแต่วงกว้างของพลังงานที่แคบของ InAs ยังช่วยให้กลายเป็นซับสเตรตที่ยอดเยี่ยมสำหรับส่วนประกอบในห้องโถงหรือการผลิตอุปกรณ์เลเซอร์และรังสีอื่นๆIndium Arsenide InAs ที่ Western Minmetals (SC) Corporation ที่มีความบริสุทธิ์ 99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N สามารถจัดส่งในพื้นผิวที่มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 2" 3" 4" ในขณะเดียวกัน Indium Arsenide polycrystalline lump ที่ Western Minmetals (SC ) คอร์ปอเรชั่นยังมีอยู่หรือเป็นข้อกำหนดที่กำหนดเองตามคำขอ

ไนโอเบียมอาร์เซไนด์

Nไอโอเบียม Arsenide Nb₅As₃ or NbAs,ของแข็งผลึกสีขาวหรือสีเทา CAS No.12255-08-2 สูตรน้ำหนัก 653.327 Nb₅As₃และ 167.828 NbAs เป็นสารประกอบไบนารีของไนโอเบียมและสารหนูที่มีองค์ประกอบ NbAs,Nb5As3, NbAs4 … ฯลฯ สังเคราะห์โดยวิธี CVD เกลือที่เป็นของแข็งเหล่านี้มีพลังงานขัดแตะสูงมาก และเป็นพิษเนื่องจากความเป็นพิษโดยธรรมชาติของสารหนูการวิเคราะห์เชิงความร้อนที่อุณหภูมิสูงแสดงให้เห็นว่า NdAs มีการระเหยของสารหนูเมื่อได้รับความร้อน Niobium Arsenide ซึ่งเป็น Weyl semimetal เป็นวัสดุกึ่งตัวนำและโฟโตอิเล็กทริกชนิดหนึ่งในการใช้งานสำหรับเซมิคอนดักเตอร์, โฟโต้ออปติก, เลเซอร์ไดโอดเปล่งแสงเลเซอร์, จุดควอนตัม, ออปติคัลและเซ็นเซอร์ความดัน, เป็นตัวกลางและเพื่อสร้างตัวนำยิ่งยวด ฯลฯ Niobium Arsenide Nb₅As₃หรือ NbAs ที่ Western Minmetals (SC) Corporation ที่มีความบริสุทธิ์ 99.99% 4N สามารถส่งในรูปของผง เม็ด ก้อน เป้าหมาย และคริสตัลจำนวนมาก ฯลฯ หรือตามข้อกำหนดเฉพาะ ซึ่งควรเก็บไว้ในที่ปิดสนิท ทนต่อแสง , ที่แห้งและเย็น